Лабораторные работы по электронике

Исследование полупроводникового стабилизатора, стабилитрона и тунельного диода Цель работы: изучение свойств полупроводникового стабистора, стабилитрона и туннельного диода, исследование их вольт – амперных характеристик и определение основных параметров

Методические указания к выполнению лабораторных работ по исследованию полупроводниковых диодов Электроника – это область науки, техники и производства, охватывающая исследования и разработку электронных приборов и принципов их использования. Отличие экспериментальной обратной ветви ВАХ диода от теоретической обусловлено наличием в реальном диоде не только диффузионного тока экстракции, но и дрейфового тока термогенерации, а также возможностью пробоя p-n-перехода. Ток термогенерации протекает вследствие выброса полем p-n-перехода подвижных носителей заряда, появляющихся в p-n-переходе в результате термогенерации.

Схемы исследования прямой и обратной ветви вольт – амперной характеристики выпрямительного диода

Вольт – амперные характеристики исследуемых диодов следует строить как зависимость тока, протекающего через диод, от напряжения, приложенного к диоду. Прямую и обратную ветвь ВАХ следует строить на одном графике в I и III квадрантах соответственно, используя при этом разные масштабы.

Баланс мощностей Конспект лекций, лабораторные и задачи курсовых работ

ВАХ туннельного диода имеет на прямой ветви падающий участок. Сложность измерения такой характеристики связана с определенными экспериментальными трудностями, вызванными необходимостью обеспечения устойчивости схемы, содержащей элемент с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Методические указания к выполнению лабораторных работ по исследованию полевых и биполярных транзисторов В основе развития электроники лежит непрерывное усложнение функций, выполняемых электронной аппаратурой. В связи с этим, знание основных свойств полупроводниковых приборов, ознакомление с их конструкцией и элементами технологии изготовления, а также методикой измерения параметров, является основополагающим для грамотного проектирования радиоэлектронных схем.

Входное сопротивление полевого транзистора велико, т.к. управляющий p-n-переход включается в обратном  направлении. Поэтому в цепи затвора протекает небольшой ток затвора Iз. Большое входное сопротивление полевых транзисторов является их существенным преимуществом  по сравнению с биполярными транзисторами. Условные графические изображения и схемы включения полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом представлены на рис. 1.3. В условных графических изображениях сплошной вертикальной линией обозначен канал полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

Упрощенная структура МДП–транзистора с индуцированным каналом p-типа показана на рис. 1.5,а. В полупроводнике n-типа, называемом подложкой, методом диффузии образованы две p+-области, не имеющих между собой электрического соединения. Одна из них называется стоком, другая – истоком. Эти области отделены друг от друга двумя включенными встречно p-n-переходами, образованными на границах p- и n-областей. Поэтому если между стоком и истоком включить источник постоянного напряжения Uси, то в цепи пойдет очень маленький ток, обусловленный обратным током p-n-переходов.

Исследование биполярных транзисторов Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярных транзисторов, включенных по схемам: общая база (ОБ) и общий эмиттер (ОЭ)

К дифференциальным параметрам полевых транзисторов относятся: проводимость прямой передачи, или крутизна характеристики управления

В активном режиме эмиттерный p-n-переход находится в прямом включении, а коллекторный – в обратном. Включение биполярного транзистора с общей базой в активном режиме показано на рис. 2.5. Активный режим обеспечивается соответствующей полярностью напряжений, подключенных к эмиттеру (UЭБ) и коллектору (UКБ) и отсчитываемых относительно базы.

Вид характеристик зависит от способа включения транзистора. Для однозначного установления зависимости между токами и напряжениями транзистора достаточно иметь два семейства характеристик. На практике наибольшее применение получили входные и выходные характеристики. Характеристики прямой передачи и обратной связи применяются редко и могут быть легко получены из входных и выходных характеристик путем перестроения.

 Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора типа n-p-n, включенного по схеме «ОБ»

Исследовать семейство статических выходных характеристик БПТ, включенного по схеме с общим эмиттером, т.е. семейство вида IК=f(UКЭ) при IБ=const. Измерения проводить для пяти фиксированных  значений IБ = 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5 mA.

По характеристикам двухполупериодные мостовые выпрямители и выпрямители со средней точкой близки. Достоинством мостового выпрямителя является максимальное использование вторичного напряжения. Выпрямленное напряжение выпрямителя со средней точкой (с тем же общим количеством витков вторичной обмотки) в два раза ниже, чем у мостового выпрямителя, т.к. в каждый полупериод на нагрузку действует напряжение, снимаемое с половины вторичной обмотки (верхней или нижней на схеме рис.3). Преимуществом здесь является меньшее (в два раза) количество используемых диодов, недостатком – нерациональное использование провода и железа трансформатора.

Электронный усилитель на транзисторах Цель работы Освоить основные понятия о структуре, характеристиках, режимах работы электронных усилителей. Снять амплитудную и амплитудно-частотную характеристику двухкаскадного усилителя.

Режим работы усилительных каскадов В зависимости от положения рабочей точки на переходной характеристике транзисторов, являющихся управляемым элементом усилительного каскада, существует три режима работы каскада: А, В и С.

Лабораторная работа «Фотоэлектрические преобразователи - Фотодатчики» Фотопреобразователем (фотодатчиком, фотоэлементом) называется электронный прибор, который преобразует энергию фотонов в электрическую энергию. Фотодатчики могу регистрировать и преобразовывать как видимое излучение, так и невидимое (инфракрасное, ультрафиолетовое).

Управляемые тиристорные выпрямители Цель работы. Ознакомиться со схемой и принципом действия однофазного регулируемого тиристорного выпрямителя. Снять характеристики выпрямителя для различных режимов работы.

В данной работе снимаются две характеристики тиристорного выпрямителя. 1. Характеристика управления. Зависимость U=f(α) называется характеристикой управления выпрямителя, где U – выпрямленное напряжение на выходе выпрямителя, а α – угол управления. Эта зависимость представлена на рис. 3. 2. Внешняя характеристика Uн = f (IН), (IН – ток нагрузки), представлена на рис.4. Внешние характеристики представляют собой семейство, каждая кривая которого снимается при определенном, фиксированном значении угла α. Эти кривые близки к внешним характеристикам обычного неуправляемого выпрямителя.

Полупроводниками принято считать широкий класс веществ, чья электропроводность меньше чем у металлов (106 - 104 Ом-1) , но больше чем у хороших диэлектриков (10-10 – 10-12 Ом-1). Различие между полупроводниками и диэлектриками является скорее количественным, чем качественным, диэлектрики тоже могут достигать при высоких температурах величин электропроводности, характерных для полупроводников.

Операционный инвертирующий усилитель Цель работы Освоить основные понятия об операционных усилителях, характеристиках, режимах работы усилителей. Снять амплитудную и амплитудно-частотную характеристику усилителя.

Зонная структура полупроводнков Сближение атомов в твердом теле на расстояние порядка размеров самих атомов приводит к тому, что внешние (валентные) электроны теряют связь с определённым атомом — они движутся по всему объему кристалла, вследствие чего дискретные атомные уровни энергии расширяются в полосы (энергетические зоны).

Примеси в полупроводниках. p- и n-типы полупроводников Электропроводность полупроводника может быть обусловлена как электронами собственных атомов данного вещества (собственная проводимость), так и электронами примесных атомов (примесная проводимость). Наряду с примесями источниками носителей тока могут быть и различные дефекты структуры, например вакансии, междоузельные атомы, а также недостаток или избыток атомов одного из компонентов в полупроводниковых соединениях (отклонения от стехиометрического состава), например недостаток Ni в NiO или S в PbS.

Токи в полупроводниках Движение носителей заряда в полупроводнике обусловлено двумя механизмами – дрейфовым и диффузионным. Электрическое поле, в которое помещен полупроводник, вызывает направленное движение носителей - дрейф. Причиной же диффузии носителей заряда является наличие градиента концентрации свободных носителей.

Типы фотодатчиков Все фотодатчики по принципу действия можно разделите на две большие группы: тепловые и фотонные.

Люксметр Ю116 Предназначен для измерения освещенности, создаваемой лампами накаливания и естественным светом, источники которого расположены произвольно относительно светоприемника люксметра.

Исследование полупроводниковых выпрямителей и сглаживающих фильтров В лабораторной работе изложена теория и исследуются схемы полупериодного и двухполупериодного выпрямления однофазного переменного тока и двухполупериодного выпрямления трехфазного переменного тока без фильтра и с набором различных сглаживающих фильтров. По результатам экспериментов рассчитываются коэффициенты пульсаций, сглаживания и снимаются внешние характеристики различных выпрямителей.

Исследование влияния пространственного заряда на прохождение тока в диоде

Изучение вращения плоскости поляризации в магнитном поле (эффект Фарадея). Ознакомление с теорией эффекта Фарадея; наблюдение вращения плоскости поляризации при прохождении света через вещество, помещенное в магнитное поле.

Правила техники безопасности полностью соответствуют «Инструкции Ф-36 на безопасное выполнение работ в оптической лаборатории общего физического практикума».

Сглаживающие фильтры

Описание лабораторной установки

Исследование метрологических характеристик тензорезисторных преобразователей усилия

Основные характеристики тензорезисторов К основным технико-метрологическим характеристикам тензорезисторов относятся тензочувствительность, ползучесть, механический гистерезис, температурная нестабильность и группа динамических характеристик. Тензочувствительность определяется главным образом тензорезистивными свойствами материала чувствительного элемента, однако в значительной степени зависит от конструкции преобразователя, материала основы, вида и условий полимеризации клея и других факторов. Тензочувствительность тензорезистора, как и самого тензорезистивного материала, определяется коэффициентом относительной тензочувствительности K (15).

Конструкция датчика

По выполнению лабораторной работы по дисциплине первичные измерительные преобразователи Цель работы Ознакомится с принципом дествия индуктивных и трансформаторных датчиков, датчиков перемещения и схемами их включения в измерительные электрические цепи. Экспериментальным путем оптимизировать частоту напряжения питания измерительной схемы индуктивного и трансформаторного преобразователей по критерию максимальной чувствительности.

Оборудование, используемое при выполнении лабораторной работы Объект исследования Объектом исследования является дифференциальный индуктивный датчик линейных перемещений, имеющий два цилиндрических каркаса, на каждом из которых намотаны по две обмотки на каркасе I -обмотки W1 и W3, на каркасе 2 - обмотки W2 и W4

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов Цель работы - ознакомление с основными параметрами и характеристиками полупроводниковых выпрямительных диодов.

Методика проведения исследований и обработки результатов эксперимента. Основная цель проведения лабораторной работы – оптимизировать частоту напряжения питания измерительной схемы индуктивного преобразователя с целью получения максимальной чувствительности.

Измерение усилий и деформаций с использованием тензорезисторных преобразователей Целью настоящей работа является изучение принципа действия тензорезисторных преобразователей и приобретение практических навыков работы с тензометрической установкой, предназначенной для измерения механических сил и деформаций. В процессе выполнения работы студенты собирают электрическую схему тензометрической установки, определяют ее градуировочную характеристику, а затем определяют неизвестные веса и массы деталей.

Структурная схема тензометрической установки для измерения усилий

Обычно в практике измерений аппроксимирующую прямую принимают за градуировочную характеристику. В этом случае вместо градусника можно использовать известное значение чувствительности S, оговаривая при этом верхний предел измерения по усилию Pmax.

Расчетная часть Рассчитать вольт-амперную характеристику (ВАХ) выпрямительного диода I=f(U) при температуре окружающей среды +200С и +400С в диапазоне U=0…300мВ (не менее 5 точек).

Исследование варикапов Цель работы - ознакомление с основными параметрами и характеристиками варикапов.


www.bordeli.nl
На главную