Учебник Теория электрических цепей Примеры выполнения заданий и лабораторных

Различают входные характеристики, которые определяют зависимость входного тока i1 от входного напряжения u1 при постоянном выходном напряжении u2; а также выходные характеристики, определяющие зависимость выходного тока i2 от выходного напряжения u2 при постоянном входном токе i1.

Входная характеристика транзистора, включенного по схеме с ОЭ - Iб = f(Uэ.б.) при Uк.э. = 0 подобна вольтамперной характеристике полупроводникового диода в прямом направлении (рис.4).

Так как коллекторно-базовый переход включен в обратном направлении, при увеличении напряжения на коллекторе ширина запирающего слоя коллекторного перехода будет расти, а ширина базы соответственно - уменьшаться. За счет этого уменьшится рекомбинация носителей в базе и ток базы. Следовательно, характеристика сместится вниз (рис. 4, кривая Uк.э.1).

Для определения параметров транзистора, на прямолинейном участке входных характеристик строится треугольник АВС. Сторона ВС этого треугольника дает  приращение тока базы  при изменении напряжения на величину =АВ при Uкэ = сonst. Тогда

h11 =  Uкэ = сonst.

(16)

При неизменном токе базы, например, Iб1 = const, изменение коллекторного напряжения на величину  как видно из рис.4, должно приводить к изменению входного напряжения на величину =АВ. Тогда

h12 = Iб = const

(17)

Выходная характеристика транзистора, включенного по схеме с ОЭ, представляет зависимость Iк = f(Uкэ) при Iб = const. Так как коллектор образован дырками эмиттера, он мало зависит от коллекторного напряжения. Тем не менее при увеличении коллекторного напряжения, как уже говорилось, происходит уменьшение ширины базы и уменьшение рекомбинации в базе.

Рис. 5. Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

В силу постоянства базового тока число электронов, поступающих в базу остается неизменным. За счет этого потенциал базы относительно эмиттера понижается и увеличивается число дырок, поступающих в базу из эмиттера. В соответствии с уравнением (2) это приводит к росту тока коллектора.

При постоянном напряжении между эмиттером и коллектором, например, при Uкэ1 = const (рис.5), изменение тока базы от Iб1 до Iб2, то есть на величину = Iб2 - Iб1, приводит к увеличению тока коллектора на величину = Iк2 - Iк1. Тогда

h21 = Uкэ = const

(18)

При постоянном токе базы , например Iб1 = const изменение напряжения между коллектором и эмиттером на величину  приводит к изменению тока коллектора на величину = Iк3 - Iк1 (рис.5). Тогда

h22 = Iб = const

(19)


флеш лампа
Коррекция фигуры Саратов
Турецкие полотенца по материалам vilenatex.ru.
домашний интим скрытой камерой
прастатутки кийев
На главную